Name: onsemi NTGS4111PT1
Brand: onsemi
SKU: NTGS4111PT1
Availability: InStock
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onsemi NTGS4111PT1

Artikelnummer:

NTGS4111PT1

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP

Datenblätte:

1.NTGS4111PT1.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Multiple Devices 06/Oct/2006.pdf onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf NTGS4111P, NVGS4111P.pdf

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Lead free / RoHs compliant

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi NTGS4111PT1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTGS4111PT1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (max)	630mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.6A (Ta)
Grundproduktnummer	NTGS41
NTGS4111PT1 Einzelheiten PDF [English]	NTGS4111PT1 PDF - EN.pdf

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